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ATI-NALY |
2019-09-16 |
明細書(陶瓷電容器)-修正額定規格:容量1μF(原內容記載有誤)(插件位置:C14)
電路板零件(FET)-增列安森美半導體型號NSVJ3910SB3
額定規格:最大額定電壓:-25V、
最大額定電流50mA、最大損失:400mW、使用消耗電流:10μA(插件位置:F1)
電路板零件(稽納二極體)-增列RENESAS牌型號RD8.2SB2
額定規格:P:200mW、稽納電壓:7.98~8.39V
(插件位置:Z2)
增列ROHM牌型號UFZVTE-178.2B額定規格:P:500mW、
稽納電壓:7.827~8.265V(插件位置:Z2)
增列RENESAS牌型號RD6.8SB2額定規格:P:200mW、
稽納電壓:6.62~6.96V(插件位置:Z3)
增列ROHM牌型號UFZVTE-178.2B額定規格:P:500mW、
稽納電壓:7.827~8.265V(插件位置:Z3)
增列ROHM牌型號KDZVTR47A額定規格:P:1W、
稽納電壓:44.0~50.0V(插件位置:Z4)
增列ROHM牌型號KDZV47A額定規格:P:1W、
稽納電壓:44~50V(插件位置:ZD1)
電路板(電容器)-增列規定規格:容量:0.033μF、
電壓:16V(插件位置:C2)
電路板(電晶體)-增列東芝牌型號2SC6124
額定規格:最大額定電壓:80V、使用電壓:40V、使用電流:0.1A、最大集極損失:2.5W
(插件位置:TR6)
電路板(光耦合器)-
增列RENESAS牌型號PS2703-1額定規格:最大額定電壓:120V、順方向電流:50V、使用電流:30mA、
(插件位置:PC1)
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