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ASB-2LY |
2019-07-02 |
電路板(場效電晶體)-
增列ON Semiconductor牌型號NSVJ3910SB3額定規格:電壓:-25V、電流:50mA、最大損失:400mW
(插件位置:F1)
電路板(陶磁電容器)-
增列尺寸(mm)(長0.6*寬0.3)
(插件位置:C1、C4~5、C9、C11、C15~19)
增列尺寸(mm)(長0.6*寬0.3)
(插件位置:C12~13、C20)
增列尺寸(mm)(長1.0*寬0.5)
(插件位置:C2)
增列尺寸(mm)(長1.0*寬0.5)
(插件位置:C14)
探測器明細書-
變更陶磁電容器額定容量
額定容量:1μF(插件位置:C14)
電路板(基鈉二極體)-
增列ROHM牌型號UFZVTE-178.2B
額定規格:電壓:7.827~8.265V、
電力:500 mW
(插件位置:Z2)
增列ROHM牌型號UFZVTE-176.8B
額定規格:電壓:6.525~6.865V、
電力:500 mW
(插件位置:Z3)
增列ROHM牌型號KDZVTR47A
額定規格:電壓:44.0~50.0V、
電力:1W
(插件位置:Z4)
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