1 |
CHW-BY |
2021-10-29 |
電路板-
插件位置ZD1、ZD105、ZD2、ZD101、ZD103、ZD102、ZD104、ZD106增列電子零件 |
2 |
CHW-BY |
2020-07-15 |
電路板-增列板號2-7-500-2555
陶瓷電容器-
變更尺寸為1.0*0.5mm
(插件位置:C1、C104、C106、C107)
變更尺寸為0.6*0.3mm
(插件位置:C3~C5、C7~C8、C10、C12~C26、C105)
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3 |
CHW-BY |
2019-04-01 |
二極體-增列新電元牌
型號:D1F60
額定規格:VRM:600V、IO:0.75A、VF:1.1V
(插件位置:D1、D101)
電晶體-
增列ISAHAYA牌型號ISA1235AC1
額定規格:VCEO:-50V、VCBO:-60V、IC:-200mA、PC:200mW、hfc:150~500
(插件位置:TR4~5、TR7~9、TR105、TR108)
陶磁振盪器-
增列村田牌型號CSBFB1M22J58
額定規格:振盪頻率:1.2288MHz
(插件位置:X1)
電阻-增列電阻額定規格:阻抗值:470Ω、電力:63mW、容許差:±5%(插件位置:R49)
基鈉二極體-
增列Renesas Electronics牌型號RD8.2SB2
額定規格:P:200mW、基鈉電壓VZ:7.98~8.39V
(插件位置:ZD2)
增列Renesas Electronics牌型號RD10SB3
額定規格:P:200mW、基鈉電壓VZ:10.08~10.58V
(插件位置:ZD102)
增列Renesas Electronics牌型號RD12SB3
額定規格:P:200mW、基鈉電壓VZ:12.04~12.64V
(插件位置:RD12SB3)
電晶體-
增列東芝牌型號SSM3J15FU
額定規格:VDS:-30V、VGSS:±20V、
ID:±0.1A、PD:150Mw
(插件位置:TR6)
陶磁電容器-
增列尺寸(長*寬):1.0*0.5(mm)
(插件位置:C1、C104、C106、C107)
增列尺寸(長*寬):0.6*0.3(mm)
(插件位置:C2~5、C7~8、C10、C12~26、C105)
明細書 變更額定電壓:25V
(插件位置:C2)
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4 |
CHW-BY |
2018-12-05 |
電路板(二極體)-
增列新電元牌型號D1F60
規格:VRM:600V,IO:0.75A,VF:1.1V
(插件位置:D1、D101)
電路板(電晶體)
增列ISAHAYA牌型號ISA1235AC1
規格:VCEO:-50V,VCBO:-60V,IC:-200mA,PC:200mW,hfc:150~500
(插件位置:TR4~5、TR7~9、TR105、TR108)
陶磁振盪器
增列村田牌型號CSBFB1M22J58
規格:振盪頻率:1.2288MHz
(插件位置:X1)
電路板(電阻)
增列電阻
規格:阻抗值:470Ω,電力:63mW,容許差:±5%
(插件位置:R49)
基鈉二極體
增列Renesas Electronics牌型號RD8.2SB2
規格:P:200mW,基鈉電壓VZ:7.98~8.39V
(插件位置:ZD2)
增列Renesas Electronics牌型號RD10SB3
規格:P:200mW,基鈉電壓VZ:10.08~10.58V
(插件位置:ZD102)
增列Renesas Electronics牌型號RD12SB3
規格:P:200mW,基鈉電壓VZ:12.04~12.64V
(插件位置:ZD104)
電路板(電晶體)
增列東芝牌型號SSM3J15FU電晶體
規格:VDS:-30V,VGSS:±20V,ID:±0.1A,PD:150mW
(插件位置:TR6)
陶磁電容器
增列陶磁電容器尺寸(長*寬):1.6*0.3(mm)
(插件位置:C1~5、C7~8、C10、C12~26、C104~107)
明細書(數值修正)
變更陶磁電容器額定電壓值
額定電壓:25V
(插件位置:C2)
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