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CHW-G4 |
2019-04-01 |
明細書(誤記修正)-
修正:額定VCBO
PNP電晶體 增列ISAHAYA牌型號2SA1235A
額定規格:VCEO:-50V、VCBO:-60V、IC:200mA、PC:200mW、hfc:150~500
(插件位置:TR5、TR7~8、TR10~11、TR101、TR201、TR301、TR401)
增列松下牌型號2SD0601A
額定規格:VCEO:50V、VCBO:60V、IC:100mA、PC:200mW、hfc:210~460
(插件位置:TR2~4、TR6、TR103、TR203、TR303、TR403)
底箱標示貼紙-
變更為受第15~8號
二極體-
增列新電元牌型號D1F60
額定規格:VRM:600V、IO:0.75A、VF:1.1V
(插件位置:D1、D2)
電晶體-
增列ISAHAYA牌型號ISA1235AC1
額定規格:VCEO:-50V、VCBO:-60V、
IC:-200mA、PC:200mW、hfc:150~500
(插件位置:TR5、TR7~8、TR10、TR101、TR201、TR301、TR401)
陶磁振盪器-
增列村田牌型號CSBFB1M22J58
額定規格:振盪頻率:1.2288MHz
(插件位置:X1)
電阻-
增列電阻
額定規格:阻抗值:470Ω、電力:63mW、
容許差:±5%
(插件位置:R49)
基鈉二極體-
增列Renesas Electronics牌型號RD8.2SB2
額定規格:P:200mW、基鈉電壓VZ:7.98~8.39V
(插件位置:ZD3)
增列Renesas Electronics牌型號RD7.5SB2
額定規格:P:200mW、基鈉電壓VZ:7.25~7.63V
(插件位置:ZD102、ZD202、ZD302、ZD402)
鉭電容器-
增列NICHICON牌型號F931E106M、
額定規格:耐壓25V、容量10μF
(插件位置:C6、C11)
二極體-
增列Panasonic牌型號DA2J101
額定規格: VR:80V、IF:100mA、
順電壓VF:1.2V
(插件位置:D5~10、D101、D201、D301、D401)
電晶體-
增列東芝牌型號SSM3J15FU
額定規格:VDS:-30V、VGSS:±20V、
ID:±0.1A、PD:150mW
(插件位置:TR9)
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