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CHW-R4(D2/H4) |
2021-10-29 |
電路板-
插件位置ZD1、ZD101、ZD201、ZD301、ZD401、ZD102、ZD202、ZD302、ZD402、ZD2、ZD3、ZD4、ZD6、ZD5增列電子零件 |
2 |
CHW-R4(D2/H4) |
2019-04-01 |
明細書-修正:額定VCBO
電晶體-
增列ISAHAYA牌型號2SA1235A
額定規格:VCEO:-50V,VCBO:-60V、IC:200mA、PC:200Mw、hfc:150~500
(插件位置:TR3~4、TR6~8、TR11~12、TR14)
增列NPN牌型號2SD0601A
額定規格:VCEO:50V、VCBO:60V、IC:100mA、PC:200Mw、hfc:210~460
(插件位置:TR1~2、TR5、TR9~10、TR101~102、TR201~202、TR301~302、TR401~402)
鐵氧體磁珠、電阻、電容器-
增列村田製作所型號BLM21 PG□SN
鐵氧體磁珠、
額定規格:直流阻抗:0.09Ω以下、容許電流:1.5A以下
(插件位置:NF1、NF2)
增列電阻
額定規格:阻抗值:1.2K~47K、電力:63mW、容許差:±5%
(插件位置:R73)
增列電容器
額定規格:靜電容量:10P~0.1μF、電壓:50V、容許差:±10%
(插件位置:C35、C36)
底箱標示貼紙-
變更為受第15~8號
二極體-
增列松下牌型號MA2J111
額定規格: VR:80V、IO:100Ma、
順電壓VF:1.2V
(插件位置:D2~3、D6~13、D102~103、D202~203、D302~303、D402~403)
二極體-
增列新電元牌型號D1F60
額定規格:VRM:600V、IO:0.75A、VF:1.1V
(插件位置:D1、D4、D6)
電晶體-
增列ISAHAYA牌型號ISA1235AC1
額定規格:VCEO:-50V、VCBO:-60V、IC:-200Ma、PC:200mW、hfc:150~500
(插件位置:TR3~4、TR6~8、TR11~12、TR14、TR102、TR202、TR302、TR402)
陶磁振盪器-
增列村田牌型號CSBFB1M22J58
額定規格:振盪頻率:1.2288MHz
(插件位置:X1)
電阻-
增列電阻
額定規格:阻抗值:470Ω、
電力:63mW、容許差:±5%
(插件位置:R12)
基鈉二極體-
增列Renesas Electronics牌
型號RD8.2SB2
額定規格:P:200mW、
基鈉電壓VZ:7.98~8.39V
(插件位置:ZD2)
增列Renesas Electronics牌
型號RD12SB3
額定規格:P:200mW、
基鈉電壓VZ:12.04~12.64V
(插件位置:ZD4~D6)
鉭電容器-
增列NICHICON牌型號F931E106M
額定規格:容量:10μF、電壓:25V
(插件位置:C4、C8)
二極體-
增列Panasonic牌型號DA2J101
額定規格: VR:80V、IF:100mA、
順電壓VF:1.2V
(插件位置D2~3、D6~13、D102~103、D202~203、D302~303、D402~403)
電晶體-
增列東芝牌型號SSM3J15FU
額定規格:VDS:-30V、VGSS:±20V、
ID:±0.1A、PD:150mW
(插件位置:TR13)
陶磁電容器-
增列尺寸(長*寬):0.6*0.3(mm)
(插件位置:C2~3、C5~7、C9~15、C17~25、C28~29、C31~32、C101~103、C201~203、C301~303、C401~403)
增列尺寸(長*寬):1.0*0.5(mm)
(插件位置:C16、C27、C30、C33~36)
明細書-
變更陶磁電容器額定電壓值
額定電壓:50V (插件位置:C22~25)
變更陶磁電容器額定電壓值
額定電壓:25V
(插件位置:C2、C11、C27、C28、C30、C101、C201、C301、C401)
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3 |
CHW-R4(D2/H4) |
2018-12-05 |
明細書(誤記修正)
修正:額定VCBO
電晶體
增列ISAHAYA牌型號2SA1235A(PNP電晶體)
規格:VCEO:-50V,VCBO:-60V,IC:200mA,PC:200mW,hfc:150~500
(插件位置:TR3~4、TR6~8、TR11~12、TR14
增列松下牌型號2SD0601A(NPN電晶體)
規格:VCEO:50V,VCBO:60V,IC:100mA,PC:200mW,hfc:210~460
(插件位置:TR1~2、TR5、TR9~10、TR101~102、TR201~202、TR301~302、TR401~402)
鐵氧體磁珠、電阻、電容器
增列村田牌型號BLM21 PG□SN 鐵氧體磁珠
規格:直流阻抗:0.09Ω以下,容許電流:1.5A以下
(插件位置:NF1、NF2)
增列電阻
規格:阻抗值:1.2K~47K、
電力:63mW,容許差:±5%
(插件位置:R73)
增列電容器
規格:靜電容量:10P~0.1μF
電壓:50V,容許差:±10%
(插件位置:C35、C36)
底箱標示貼紙
變更為受第15~8號
電路板(二極體)
增列松下牌型號MA2J111二極體
規格: VR:80V,IO:100mA,順電壓VF:1.2V
(插件位置:D2~3、D6~13、D102~103、D202~203、D302~303、D402~403)
電路板(二極體)
增列二極體
廠牌:新電元
(插件位置:D1、D4、D6)
型號:D1F60
額定規格:VRM:600V,IO:0.75A,VF:1.1V
電路板(電晶體)
增列ISAHAYA牌型號ISA1235AC1
規格:VCEO:-50V,VCBO:-60V,IC:-200mA,PC:200mW,hfc:150~500
(插件位置:TR3~4、TR6~8、TR11~12、TR14、TR102、TR202、TR302、TR402)
陶磁振盪器
增列村田牌型號CSBFB1M22J58陶磁振盪器
規格:振盪頻率:1.2288MHz
(插件位置:X1)
電路板(電阻)
增列電阻
規格:阻抗值:470Ω,電力:63mW,容許差:±5% (插件位置:R12)
基鈉二極體
增列Renesas Electronics牌型號RD8.2SB2
規格:P:200mW,基鈉電壓VZ:7.98~8.39V
(插件位置:ZD2)
增列Renesas Electronics牌型號RD12SB3
規格:P:200mW,基鈉電壓VZ:12.04~12.64V
(插件位置:ZD4~D6)
電路板(鉭電容器)
增列NICHICON牌型號F931E106M鉭電容器
規格:容量:10μF,電壓:25V
(插件位置:C4、C8)
電路板(二極體)
增列Panasonic牌型號DA2J101
規格: VR:80V,IF:100mA,順電壓VF:1.2V
(插件位置:D2~3、D6~13、D102~103、D202~203、D302~303、D402~403)
電路板(電晶體)
增列東芝牌型號SSM3J15FU 電晶體
規格:VDS:-30V,VGSS:±20V,ID:±0.1A,PD:150mW
(插件位置:TR13)
陶磁電容器
增列陶磁電容器尺寸(長*寬):1.6*0.3(mm)
(插件位置:C2~3、C5~7、C9~25、C27~36、C101~103、C201~203、C301~303、C401~403)
明細書(數值修正)
變更陶磁電容器額定電壓值
額定電壓:50V
(插件位置:C22~25)、
額定電壓:25V
(插件位置:C2、C11、C27、C28、C30、C101、C201、C301、C401)
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